范德瓦耳斯异质结构中磁邻近诱导的超导二极管效应与无限磁电阻

我们报道了在 $\mathrm{NbSe_2}$ 非中心对称超导体中观测到的单向电荷输运，该超导体与 $\mathrm{CrPS_4}$ 范德瓦耳斯层状反铁磁绝缘体发生交换耦合。$\mathrm{NbSe_2/CrPS_4}$ 双层器件表现出高达 $16\%$ 的偏置依赖的超导临界电流变化，其磁手性各向异性达到 $\sim 10^5\mathrm{\ T^{-1}A^{-1}}$。此外，$\mathrm{CrPS_4/NbSe_2/CrPS_4}$ 自旋阀结构表现出临界电流变化高达 $40\%$ 的超导二极管效应。我们还利用磁邻近效应诱导自旋阀结构超导态中的开关行为。该结构展现出依赖于磁场扫描方向与磁化构型的无限磁电阻比。我们的结果展示了一种通过利用磁邻近效应在弱外场区间（$<50\mathrm{\ mT}$）增强非互易响应的新途径。