掺杂双层 CrI$_3$ 中的磁极化子与反铁磁-铁磁转变
介观与纳米尺度物理
2020-01-15 v1
摘要
双层 CrI 中的栅极诱导磁开关为基于范德瓦耳斯异质结构设计的新型低功耗磁存储器开辟了新途径。所提出的开关机制似乎完全由静电掺杂主导。在此，我们通过第一性原理计算解释了掺杂双层 CrI 中的铁磁转变。对于极小电子掺杂的情形，我们的计算预测了磁极化子（“ferrons”、“fluctuons”）的形成，其中电子自锁于反铁磁绝缘基体中的铁磁液滴内。在我们所用的近似范围内，空穴的自俘获至少是不可能的。
引用
@article{arxiv.1912.05280,
title = {Magnetic polaron and antiferro-ferromagnetic transition in doped bilayer CrI$_3$},
author = {D. Soriano and M. I. Katsnelson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.05280},
year = {2020}
}
备注
5 pages, 5 figures