磁场诱导浅量子点中少电子系统的束缚
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1 天体物理学
摘要
我们使用精确对角化方法研究了在外部磁场存在下，二维势阱中少电子系统的束缚。我们证明，对于浅势阱，少电子系统仅在强磁场作用下才会被束缚。允许形成束缚态的势阱深度的临界值随磁场非平滑地减小，这是由于第一束缚态的角动量增加。在高磁场极限下，束缚能和允许形成束缚系统的势阱深度的临界值趋向于经典值。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0606514,
title = {Magnetic-field-induced binding of few-electron systems in shallow quantum dots},
author = {B. Szafran and S. Bednarek and F. M. Peeters},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606514},
year = {2007}
}