磁场对双层石墨烯中拓扑手性通道的影响
强关联电子
2019-07-16 v1
摘要
我们研究磁场对电场畴壁上双层石墨烯拓扑手性通道的影响。手性边缘态的持续性归因于相反电场区域中谷陈数的差异。我们探索垂直于晶格的大电场与磁场 regime。磁场使通道偏离我们的电界面，其方式与平面内洛伦兹力得出的半经典预期不一致。此外，磁场导致手性通道的层占据偏好失衡。这些行为在电场或磁场占主导的极限下容许解析解。我们在一般情形中通过数值表明，该系统可很好地近似为两种极限的加权和。
引用
@article{arxiv.1907.06605,
title = {Magnetic Effects on Topological Chiral Channels in Bilayer Graphene},
author = {Aaron Winn and John Maier and Andrew Jiao and Jeffrey C. Y. Teo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.06605},
year = {2019}
}
备注
12 pages, 23 figures