关联量子系统电导率的下界

我们展示了如何获得由形式为 $H = H_0 + g H_1$ 的哈密顿量描述的关联量子系统的电导率、自旋导率或热导率的下界。此处 $H_0$ 是一个相互作用哈密顿量，其特征守恒律导致在 $g=0$ 时电导率无限大。然而，微扰项 $g H_1$ 使得有限温度下的电导率变为有限值。例如，$H_0$ 可以是动量守恒的连续场论，也可以是一维可积模型，而 $H_1$ 可能描述弱无序效应。在 $g \to 0$ 的极限下，我们推导了相关电导率的下界，并展示了如何利用记忆矩阵形式体系系统地改进这些下界。此外，我们讨论了各种应用，并研究了在何种条件下我们的下界可能变得精确。