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单晶 CrB$_{2}$的低温性质

强关联电子 2014-12-05 v1

摘要

我们报道了通过高纯度 Cr 和 B 粉末经固态反应和光学浮区法制备的11^{11}B 富集单晶 CrB2_{2}的低温性质。电阻率ρxx\rho_{\rm xx}、霍尔效应ρxy\rho_{\rm xy}和比热CC的特征表明其具有交换增强的费米液体基态,该基态在TN=88KT_{\rm N}=88\,{\rm K}以下发展出略微各向异性的自旋能隙Δ220K\Delta \approx 220\,{\rm K}。文献中报道的T0T\to0时磁化强度缺乏居里依赖性证实了这一观察结果。将CCdρxx/dTd\rho_{\rm xx}/dT进行比较(其中我们从 VB2_2的测量中推断出晶格贡献),揭示了顺磁态下具有特征自旋涨落温度Tsf257KT_{\rm sf}\approx 257\,{\rm K}的强反铁磁自旋涨落,随后在TNT_{\rm N}处出现显著的二级平均场相变,以及在TN/2\approx T_{\rm N}/2附近的异常激发。TNT_{\rm N}以上ρxx\rho_{\rm xx}的显著各向异性是自旋涨落易平面各向异性的特征,这与磁化强度一致。从磁化强度推断出的居里 - 外斯温度与奈尔温度之比f=ΘCW/TN8.5f=-\Theta_{\rm CW}/T_{\rm N}\approx 8.5,意味着强烈的几何阻挫。所有物理性质在高达14T14\,\,{\rm T}(所研究的最高磁场)的外加磁场下表现出显著的不变性。与早期关于局域矩磁性的建议相反,我们的研究确定 CrB2_{2}为具有强几何阻挫的典型弱巡游反铁磁体。

关键词

引用

@article{arxiv.1412.1629,
  title  = {Low-temperature properties of single-crystal CrB$_{2}$},
  author = {Andreas Bauer and Alexander Regnat and Christian G. F. Blum and Saskia Gottlieb-Schönmeyer and Björn Pedersen and Martin Meven and Sabine Wurmehl and Jan Kuneš and Christian Pfleiderer},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1412.1629},
  year   = {2014}
}

备注

15 pages, 9 figures