2D 材料中的 Lorentz 破缺与拓扑陷俘电荷载流子
高能物理 - 理论
2018-07-04 v1 材料科学
可精确求解与可积系统
量子物理
摘要
在 Lorentz 对称性不应严格成立的新型 2D 材料背景下，本文研究了具有 Lorentz 破缺背景的标量孤子阱中二维费米子态的完整谱。包含 Lorentz 破缺项的场论模型描述了一个能谷中的 Dirac 电子及其在标量场背景下的行为。Lorentz 破缺源于 Dirac 电子与标量模式速度之间的差异，这在模拟 2D 材料中的电子和晶格激发时是预期会出现的。我们将 1+1 维场论背景下发展出的解析方法加以推广，以探讨在具有 kink 剖面的畴壁存在时，Lorentz 对称性破缺对 2D 材料中电荷载流子密度的影响。kink 产生的陷俘势的宽度和深度由 Lorentz 破缺项控制，这在能带结构和陷俘态的性质中得到了解析反映。我们的发现扩展了先前关于在手征规范理论中利用畴壁和应变石墨烯纳米带获得边缘态的研究。
引用
@article{arxiv.1703.10591,
title = {Lorentz Violation and Topologically Trapped Charge Carriers in 2D Materials},
author = {R. A. C. Correa and W. de Paula and A. de Souza Dutra and T. Frederico},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.10591},
year = {2018}
}