Pt/YIG 和 Pt/NFO 横向自旋塞贝克效应实验中的纵向自旋塞贝克效应贡献

Daniel Meier; Daniel Reinhardt; Michael van Straaten; Christoph Klewe; Matthias Althammer; Michael Schreier; Sebastian T. B. Goennenwein; Arunava Gupta; Maximilian Schmid; Christian H. Back; Jan-Michael Schmalhorst; Timo Kuschel; Günter Reiss

doi:10.1038/ncomms9211

Pt/YIG 和 Pt/NFO 横向自旋塞贝克效应实验中的纵向自旋塞贝克效应贡献

材料科学 2016-08-03 v1

作者: Daniel Meier , Daniel Reinhardt , Michael van Straaten , Christoph Klewe , Matthias Althammer , Michael Schreier , Sebastian T. B. Goennenwein , Arunava Gupta , Maximilian Schmid , Christian H. Back , Jan-Michael Schmalhorst , Timo Kuschel , Günter Reiss

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摘要

我们研究了沉积在磁性绝缘体 Y3Fe5O12 (YIG) 和 NiFe2O4 (NFO) 上的 10nm 厚 Pt 条在膜面内存在温度梯度时的逆自旋霍尔电压。我们观察到了自旋塞贝克效应的典型特征，尽管当 Pt 条从热侧移动到冷侧时，我们没有观察到电压符号的变化，而这被认为是横向自旋塞贝克效应最显著的特征。因此，我们将观测到的电压归因于由寄生面外温度梯度产生的纵向自旋塞贝克效应，该梯度可以通过不同材料和热导率的接触尖端以及尖端加热来模拟。这项工作为仍处于讨论中的横向自旋塞贝克效应实验的解释提供了新的见解。

关键词

自旋塞贝克效应逆自旋霍尔电压 Pt/YIG Pt/NFO 温度梯度磁性绝缘体纵向贡献

引用

@article{arxiv.1411.6790,
  title  = {Longitudinal spin Seebeck effect contribution in transverse spin Seebeck effect experiments in Pt/YIG and Pt/NFO},
  author = {Daniel Meier and Daniel Reinhardt and Michael van Straaten and Christoph Klewe and Matthias Althammer and Michael Schreier and Sebastian T. B. Goennenwein and Arunava Gupta and Maximilian Schmid and Christian H. Back and Jan-Michael Schmalhorst and Timo Kuschel and Günter Reiss},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1411.6790},
  year   = {2016}
}

备注

6 pages, 5 figures

Pt/YIG 和 Pt/NFO 横向自旋塞贝克效应实验中的纵向自旋塞贝克效应贡献

摘要

关键词

引用

备注

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