由具有红边带的微波腔介导的长程双混合量子点量子比特门

通过量子点量子比特与超导微波腔的强耦合实现双量子比特门，要求耦合速率远快于退相干速率。通常这需要将量子比特调谐至对电荷噪声相对不敏感的sweet spot，或调谐至与微波腔共振的点。遗憾的是，此类工作点很少重合。此处，我们从理论上研究几种由微波腔介导的两个量子点混合量子比特间门操作的方案。量子点混合量子比特的丰富物理导致两类sweet spot，可出现在具有强电荷偶极矩的工作点。此类强相互作用为失谐门操作提供了新机会，从而消除了长程双量子比特门的主要障碍之一。我们的结果表明，量子点混合量子比特众多的调控旋钮使其成为强耦合的良好候选。特别地，我们展示对于实际工作参数，失谐红边带介导的双量子比特门可展现>95%的保真度，并描述了可能使门保真度>99%的改进。