三维手性磁体中斯格明子的逻辑斯谛增长

手性磁性材料中从斯格明子晶格相到螺旋相的拓扑相变过程已得到数值和实验研究，但该过程中斯格明子数和涌现磁单极子电荷演化的解析表达式仍有待探索。在本文中，利用拓扑流理论，我们证明系统中某一层的斯格明子数变化等于流过该层的净单极子电荷。基于这一关系，借助统计论证，我们推导出了斯格明子数和单极子电荷作为外磁场函数的解析表达式。我们发现斯格明子数的演化恰好是逻辑斯谛增长函数，而单极子电荷的演化与系统斯格明子数的导数成正比。我们的解析结果与 \cite{2013SCIENCE} 中的数值模拟吻合良好。数据拟合的优良度高达 99.94\%。