金属氧化物半导体器件退化动力学的对数行为
材料科学
2015-05-18 v1
摘要
本文作者描述了一个理论上的简单统计模型，用于解释金属氧化物半导体器件中控制其退化的弛豫过程。基本上，从给定数量的陷阱被占据的初始状态开始，通过计算被占据陷阱的密度及其涨落（二阶矩）作为时间的函数来测量弛豫过程的动力学。我们的理论结果显示了被占据陷阱密度的普适对数定律 ，即退化是对数形式的，其幅度取决于器件的温度和费米能级。我们的方法将工作简化为由简单二项式求和确定的平均值，这些平均值得到了我们的蒙特卡洛模拟和文献中实验结果的证实，这为我们现代生活中半导体器件退化的物理学提供了启发性的阐明。
引用
@article{arxiv.1002.3571,
title = {Logarithmic behavior of degradation dynamics in metal--oxide semiconductor devices},
author = {Roberto da Silva and Gilson I. Wirth},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.3571},
year = {2015}
}