无序钽薄膜中的局域化现象
强关联电子
2021-12-23 v1
摘要
利用直流输运和宽带光谱椭偏技术，我们研究了通过射频溅射沉积生长的高度无序金属性β-Ta薄膜中的局域化现象。直流输运研究表明其呈现非金属行为（dr/dT<0），且具有负的电阻温度系数（TCR）。我们发现，随着TCR绝对值增大（表明无序度升高），自由载流子Drude响应减弱，表明电荷载流子局域化增强。此外，我们发现显著变化发生在扩展光谱范围内，不仅涉及Drude共振，还涉及更高能量的Lorentz带，这证明了伴随的电子关联。我们提出，由于多体效应，电荷载流子的局域化或退局域化伴随着显著的电子能带结构重构，这可能是理解高度无序金属物理的关键特征。
引用
@article{arxiv.2112.12030,
title = {Localization Phenomena in Disordered Tantalum Films},
author = {Natalia Kovaleva and Dagmar Chvostova and A. Dejneka},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.12030},
year = {2021}
}
备注
19 pages, 5 figures, 1 table