共振中的滞留时间：基于Sb的隧穿器件情形

当诱导出载流子通量时，与弛豫、复合、俘获和漂移过程相关的并发自然时间尺度支配着半导体异质结构对外加驱动的响应。本文强调了化学计量比的作用，不仅在于电子-空穴动力学定量调控，也在于谐振隧穿器件工作期间时间分辨光学响应的显著定性差异。因此，我们比较了相似器件架构与不同组分，以阐明结构参数、辐射复合过程以及电子-空穴对和少数载流子弛豫机制之间的关联。当这些要素与基于Sb的隧穿器件中的电子结构相互交织时，证明可根据电流通量强度评估各种时间尺度，这与在具有相似设计和输运特性的基于As的隧穿器件中所观察到的情形相反。这些时间尺度不仅受到基于Sb的双势垒量子阱中$\Gamma$和L态填充过程的强烈影响，也受到这些态之间微小间距的影响，相较于基于As的类似异质结构而言。