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不同电流区域下铁电畴壁石墨烯 p-n 结整流器的极限

材料科学 2016-12-21 v1 介观与纳米尺度物理

摘要

本文针对任意电流区域(从弹道输运到扩散输运)的情况,提出了由铁电畴壁(FDW)引起的、置于铁电基底上的石墨烯沟道中 p-n 结(pnJ)电导理论。我们计算了在沟道源极和漏极施加相反极性电压时 pnJ 电导的比值 G+/G-,将其表示为石墨烯沟道长度 L、电子平均自由程 {\lambda} 和铁电基底介电常数的函数。我们证明,对于高介电常数的铁电材料以及 L/{\lambda}~1 或更小的比值,可以获得对应于高效石墨烯 pnJ 整流器的较小 G+/G- 值(0.1 及更小)。然而,对于具有极高介电常数的铁电材料(弛豫铁电体或组分 x 接近准同型相界 x=0.52 的 PbZrxTi1-xO3),在显著的扩散电流区域下,G+/G- 比值也可以远小于 1。这使得高介电常数铁电基底成为制造基于石墨烯 pnJ 的新一代整流器的极佳候选材料。在 Landau-Ginzburg-Devonshire 理论框架内研究了温度对该比值的影响。我们证明,石墨烯 pnJ 的整流特性在居里温度附近变得更好。然而,当温度高于居里温度时,由于铁电极化消失,整流效应随之消失。

关键词

引用

@article{arxiv.1609.00863,
  title  = {Limits for the graphene on ferroelectric domain wall p-n-junction rectifier for different regimes of current},
  author = {Maksym V. Strikha and Anna N. Morozovska},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1609.00863},
  year   = {2016}
}

备注

14 pages, 4 figures