In$_2$O$_3$作为透明导电氧化物的局限性
材料科学
2019-08-27 v1
摘要
Sn掺杂的InO（即ITO）是应用最广的透明导电氧化物。我们利用第一性原理计算研究其因声子或带电缺陷介导的自由载流子吸收所导致的透明性局限。我们发现，声子辅助间接吸收的主要贡献来自声子发射（而非吸收），这解释了该过程对温度相对不敏感的原因。此间接吸收过程的波长依赖关系可用幂律描述。由带电缺陷或杂质介导的间接吸收也不可避免，因为获得导电性需要掺杂。在高载流子浓度下，自由载流子的屏蔽变得重要。我们发现，当杂质浓度高于10 cm时，带电杂质辅助吸收会超过声子辅助吸收。两过程在光子能量依赖上的差异可由能带结构效应解释。
引用
@article{arxiv.1907.13573,
title = {Limitations of In$_2$O$_3$ as a transparent conducting oxide},
author = {H. Peelaers and E. Kioupakis and C. G. Van de Walle},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.13573},
year = {2019}
}
备注
5+3 pages, 4+2 figures