范德瓦耳斯反铁磁体中的光致磁相变
材料科学
2022-06-27 v1
摘要
基于一个简单的紧束缚模型，我们利用“给定体系中反铁磁（AFM）相的带隙通常大于铁磁（FM）相”这一普遍结论，提出了反铁磁体中光致磁相变（MPT）的一般理论。光致电子激发倾向于稳定 FM 态而非 AFM 态，一旦达到临界光生载流子浓度（{\alpha}_c），便发生从 AFM 相到 FM 相的 MPT。该理论通过对一系列二维（2D）范德瓦耳斯（vdW）反铁磁体进行第一性原理计算得到证实，并获得了 {\alpha}_c 与本征材料参数之间的线性关系。重要的是，即便考虑光激发过程中的强激子效应，我们的结论依然成立。我们的一般理论为实现未来存储器件的可逆读写操作提供了新思路。
引用
@article{arxiv.2206.12098,
title = {Light-induced Magnetic Phase Transition in van der Waals Antiferromagnets},
author = {Jiabin Chen and Yang Li and Hongyu Yu and Yali Yang and Heng Jin and Bing Huang and Hongjun Xiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.12098},
year = {2022}
}
备注
14 pages, 3 figures