InN 纳米线的 LDA+U 与紧束缚电子结构
介观与纳米尺度物理
2013-09-26 v1
摘要
本文采用结合 {\it ab initio} 和紧束缚的方法，获得了氢化 InN 纳米线的电子和光学性质。我们首先讨论了在 LDA+U 水平下计算的纤锌矿结构 InN 能带结构，并利用这些信息提取经验紧束缚实现所需的参数。随后，这些参数被用于计算直径范围超出 {\it ab initio} 技术承受能力的 InN 纳米线的电子和光学性质。通过明确比较在 LDA+U 和紧束缚水平下研究的小直径纳米线的电子结构，评估了大纳米线结果的可靠性。
引用
@article{arxiv.1309.6446,
title = {LDA+U and tight-binding electronic structure of InN nanowires},
author = {A. Molina-Sánchez and A. García-Cristóbal and A. Cantarero and A. Terentjevs and G. Cicero},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.6446},
year = {2013}
}