与纳米腔耦合的 Moiré 囚禁 MoSe$_2$/WSe$_2$ 层间激子的激射
介观与纳米尺度物理
2024-07-30 v3
摘要
我们报道了 moiré 囚禁层间激子(IXs)的激射：将完整 hBN 封装的 MoSe/WSe 异质双层集成入高 （）纳米光子腔中实现。我们利用磁场调控腔-IX 失谐，测得二者偶极耦合强度为 ，与理论预测的 82 完全吻合。当跃迁被调至与腔共振时，腔模发射呈现出清晰的阈值状行为。我们观测到超线性功率依赖并伴随线宽变窄，此二者为激射的显著特征。这些阈值状行为的起始与显著程度在共振时突出，而在失谐时微弱。我们的结果表明，可在具有延展至腔模尺度的宏观相干性的相互作用 moiré IXs 中诱导激射跃迁。此类系统为基于二维材料的低功耗开关与突触纳米光子器件提供了有趣的前景。
引用
@article{arxiv.2302.07046,
title = {Lasing of Moir\'e Trapped MoSe$_2$/WSe$_2$ Interlayer Excitons Coupled to a Nanocavity},
author = {Chenjiang Qian and Mirco Troue and Johannes Figueiredo and Pedro Soubelet and Viviana Villafañe and Johannes Beierlein and Sebastian Klembt and Andreas V. Stier and Sven Höfling and Alexander W. Holleitner and Jonathan J. Finley},
journal= {arXiv preprint arXiv:2302.07046},
year = {2024}
}