GaFeO3 薄膜在 YSZ 抗阻硅上的大二次谐波 Kerr 旋转
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
通过脉冲激光沉积（PLD）生长了镀有 Yttrium-stabilized zirconia (YSZ) 缓冲层的 GaFeO3 薄膜。晶体模板缓冲层通过高温剥离硅表面天然氧化膜的步骤原位 PLD 生长。X 射线衍射图谱显示 YSZ 和 GaFeO3 均沿 a 轴取向，位于 Si (100) 衬底上。铁磁相变温度（T_C ~ 215 K）与 bulk 数据良好一致。薄膜在铁磁态下显示约 15 度的大非线性二次谐波 Kerr 旋转。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508159,
title = {Large Second Harmonic Kerr rotation in GaFeO3 thin films on YSZ buffered Silicon},
author = {Darshan C. Kundaliya and S. B. Ogale and S. Dhar and K. F. McDonald and E. Knoesel and T. Osedach and S. E. Lofland and S. R. Shinde and T. Venkatesan},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508159},
year = {2009}
}
备注
16 pages, 4 figures, To be published in J. Magn. Magn. Mat