由电容-电阻网络模拟的半导体结中光致大电容增强效应
材料科学
2015-07-21 v1
摘要
对随机电阻-电容（R-C）网络进行等效电路模拟，并加以修改以包含介于随机R-C体与电极表面之间的大电容，结果表明，当在体中引入电阻逾渗路径时，低频下的表观实介电常数增强了3个数量级。体R逾渗路径的出现可代表半导体体光生高电导态，这一效应得到了实验观察的支持：与实介电常数的光增强并行，其虚部也显著增强。光生电荷载流子的加入极大地增强了体的电导率，有效地将空间电荷区限制在体边缘与电极之间的界面处。这可以为光电池中光照下表观介电常数增强提供一种简单的唯象解释，无需涉及复杂的物理模型。
引用
@article{arxiv.1507.05494,
title = {Large, light-induced capacitance enhancement in semiconductor junctions simulated by capacitor-resistor nets},
author = {B. Vainas},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.05494},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 4 figures