半导体量子阱纳米结构中基于电磁诱导手性的大可调负折射率
光学
2024-03-11 v1
摘要
利用已报道的实验参数，在半导体量子阱（SQWs）纳米结构中演示了通过电磁诱导手性实现的大且可调的负折射率（NRI）。研究发现：在文献[19]的实验结果下，通过调节耦合激光场与相对相位，可在 SQWs 样品中理论上获得大且可控的 NRI，并且 NRI 的频率区域也可被它们灵敏地调控，这将增加实现 NRI 材料的灵活性。该方案植根于实验结果，可能为固态纳米结构中的 NRI 材料开辟新途径。
引用
@article{arxiv.1812.07789,
title = {Large and tunable negative refractive index via electromagnetically induced chirality in a semiconductor quantum well nanostructure},
author = {Shun-Cai Zhao and Shuang-Ying Zhang and You-Yang Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.07789},
year = {2024}
}
备注
5 pages, 3 figures