宽禁带半导体中的镧系杂质：自旋电子器件的可能路线图
材料科学
2013-07-12 v1
摘要
本文采用全电子方法加 Hubbard 势修正的第一性原理计算，研究了纤锌矿氮化镓和氧化锌中镧系元素（从 Eu 到 Tm）杂质的电子性质。结果表明，在这两种材料中，与 4f 相关的能级均保持在带隙之外，这与基于实验数据的近期唯象模型高度一致。此外，掺杂镧系杂质的氧化锌转变为 n 型材料，显示出与 4f 相关的自旋极化态与载流子之间存在耦合。这种耦合可能产生自旋极化电流，从而有望应用于自旋电子器件。
引用
@article{arxiv.1307.3209,
title = {Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices},
author = {G. Caroena and W. V. M. Machado and J. F. Justo and L. V. C. Assali},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.3209},
year = {2013}
}
备注
11 pages, 3 figures