耗散电路QED中的Landau-Zener隧穿
量子物理
2008-12-01 v3 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了温度和耗散对电路QED中Landau-Zener跃迁概率的影响。耗散通过将传输线与谐振子浴耦合来建模。密度算子的约化描述在Bloch-Redfield理论框架内处理。相空间表示允许对所得主方程进行高效数值实现。它提供了可靠的结果，即使在相当低的温度下也有效。我们发现自旋翻转概率作为温度和耗散强度的函数表现出非单调行为。我们的数值结果得到了零温度和零耗散强度下解析解的补充。
引用
@article{arxiv.0807.1748,
title = {Landau-Zener tunnelling in dissipative circuit QED},
author = {David Zueco and Peter Hänggi and Sigmund Kohler},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.1748},
year = {2008}
}
备注
Accepted for publication