Kondo 工程化：从单颗 Kondo 杂质到 Kondo 晶格
强关联电子
2009-11-10 v1
摘要
在第一步骤中, 对单颗镱或镨的 Kondo 杂质进行实验, 通过与其他类型耦合（如超微弱相互作用、晶体场和相邻耦合）的比较, 揭示了 Kondo 温度的重要性. 将其扩展到晶格并加以讨论. 强调 （三价构型的占据数）可能是 Kondo 晶格中的隐式关键变量. 讨论了三个 相图：CeRuSi, CeRhIn 和 SmS.
引用
@article{arxiv.cond-mat/0407437,
title = {Kondo engineering : from single Kondo impurity to the Kondo lattice},
author = {J. Flouquet and A. Barla and R. Boursier and J. Derr and G. Knebel},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0407437},
year = {2009}
}