偏置双层石墨烯中 Van Hove 奇点附近的 Kondo 效应
介观与纳米尺度物理
2015-06-05 v1
摘要
研究了吸附在双层石墨烯其中一个碳平面上的磁性杂质。在平均场 Kotliar-Ruckenstein slave boson 方法框架内，分析了带隙附近多体 SU(2) 与 SU(4) 共振的形成。讨论了在 Van Hove 奇点附近掺杂的双层石墨烯中增强的杂化与磁不稳定性对磁矩屏蔽的影响。
引用
@article{arxiv.1206.4455,
title = {Kondo effect near the Van Hove singularity in biased bilayer graphene},
author = {S. Lipinski and D. Krychowski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.4455},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 8 figures