半导体纳米线中表面等离激元极化激元的动力学理论

基于表面等离激元极化激元的半经典模型哈密顿量和非平衡格林函数方法，我们提出了一种微观动力学理论，以研究电子散射对半导体纳米线中表面等离激元极化激元动力学的影响。表面等离激元极化激元的阻尼源于电子的共振吸收（朗道阻尼），相应的阻尼在无散射情况下表现出尺寸依赖的振荡和独特的温度依赖性。散射通过引入共振的展宽和频移来影响阻尼。为了证明这一点，我们研究了在存在电子 - 杂质、电子 - 声子和电子 - 电子库仑散射的情况下，InAs 纳米线中表面等离激元极化激元的阻尼。电子 - 杂质和电子 - 声子散射的主要作用是引入展宽，而电子 - 电子库仑散射不仅会导致展宽，还会引入共振频移。对于所研究的 InAs 纳米线，电子 - 声子散射引起的展宽占主导地位。因此，散射对表面等离激元极化激元的阻尼有显著影响：尺寸依赖的振荡被抹平，温度依赖性也在存在散射的情况下受到抑制。这些结果证明了散射在半导体纳米线表面等离激元极化激元阻尼中的重要作用。