无序薄膜中电流-电压特性的跳变
无序系统与神经网络
2009-04-29 v2
摘要
我们认为，在InO、TiN和YSi无序样品中观察到的有限电压下电流的巨大跳变，是由电子过热引起的双稳态现象。其中一个稳态是过热的，因此电阻较低，而另一个高阻态在相同电压下加热程度要小得多。当电子冷却效率低下且平衡电阻R(T)的温度依赖性足够陡峭时，就会出现双稳态。我们使用实验测得的R(T)，并假设冷却的声子机制，同时考虑了无序对其的强烈抑制。我们对I-V特性细节的描述不涉及可调参数，并与实验定量吻合。我们提出了更直接检验这一物理图景的实验。
引用
@article{arxiv.0810.4312,
title = {Jumps in current-voltage characteristics in disordered films},
author = {B. L. Altshuler and V. E. Kravtsov and I. V. Lerner and I. L. Aleiner},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.4312},
year = {2009}
}
备注
Final version, as published; 4 pages, 3 figures