Hubbard 杂质中心通过约舍尔运输

我们研究通过含有 Hubbard 相互作用 $u$（大小和符号任意）的薄半导体障碍中的约舍尔运输。我们发现，在相互作用为斜率时，如果杂质能级 $\epsilon$（相对于超导体的费米能）落在区间 $(-u,0)$ 内，则约舍尔电流会随温度升高而改变符号。如果仅存在少数杂质中心，则会出现电流的强烈时间波动。在情况下 $u<0$（即杂质势为吸引时）且在低温下，该模型可化简为有效的二维哈密顿量，从而允许以配对隧穿过程描述非平稳约舍尔效应。