格点QCD衰变振幅计算中的同位旋破缺

近年来，格点QCD(Lattice QCD)在众多与味物理相关的物理量计算精度上取得显著进展，这促使人们在计算中引入同位旋破缺效应，特别是电磁修正。为充分利用这一提升的精度以确定标准模型的基本参数(包括CKM矩阵元)，并探寻可能暗示新物理存在的、与实验测量的偏离，同位旋破缺修正是必要的。我们与罗马的同事共同开发并实现了一种在轻子衰变$P\to\ell\bar\nu_\ell(\gamma)$(其中$P$为赝标介子，$\ell$为带电轻子)中包含同位旋破缺修正的框架，下文回顾其理论框架与数值结果。我们亦介绍将该框架拓展至半轻子衰变$P_1\to P_2\ell\bar\nu_\ell(\gamma)$(其中$P_{1,2}$为赝标介子)的研究现状。