双粲分子五夸克态的同位旋破缺效应

我们利用单玻色子交换势框架，研究了具有$D^{(*)}\Sigma_c^{(*)}$构型的双粲分子五夸克态中的同位旋破缺效应。在这些系统中，同位旋破缺效应来源于两个方面：强相互作用，表现为同一同位旋多重态中$D^{(*)}\Sigma_c^{(*)}$组分的阈值差异以及交换的同位旋矢量介子（$\pi$和$\rho$）的质量分裂；以及带电$D^{(*)}$和$\Sigma_c^{(*)}$组分之间的电磁相互作用。我们计算了$D^{(*)}\Sigma_c^{(*)}$系统的结合特性以及$I=1/2$和$I=3/2$态之间的同位旋混合角。我们的结果表明，同位旋破缺效应对结合能贡献了大约$10\%-30\%$的显著修正。这种效应在束缚较松的分子候选体中尤为明显，这些候选体的特征是结合能小且均方根半径大。因此，我们得出结论，显式包含同位旋破缺效应对于实现理论计算所需的精度以匹配快速发展的实验项目至关重要。我们的结果有望为未来对类氘核分子态的高精度实验研究提供有价值的指导。