强双周期激光场中 Xe 的电离：对载波包络相位的依赖性
原子物理
2017-06-16 v1 光学
量子物理
摘要
我们报道了 Xe 在双周期强红外激光脉冲下的隧穿电离及其对载波包络相位（CEP）的依赖性。在低光场（）值下，类余弦脉冲的电离产额最大，且这种依赖性对于更高电荷态变得更强。在较高 值下，CEP 依赖性要么消失，要么反转。我们建立了一个简单的唯象模型，该模型预测并证实了观测到的结果。CEP 效应在 8 周期脉冲中仍然持续存在。出乎意料的是，电子再散射在观测到的 CEP 依赖性中扮演着不重要的角色。我们的结果为多电子系统的超快强场电离动力学提供了新的视角，而这正是阿秒科学的核心所在。
引用
@article{arxiv.1706.04805,
title = {Ionization of Xe in intense, two-cycle laser fields: Dependence on carrier-envelope phase},
author = {Parinda Vasa and Aditya K. Dharmadhikari and Jayashree A. Dharmadhikari and Deepak Mathur},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.04805},
year = {2017}
}
备注
5 figures