少周期激光脉冲的时间延迟非序列双电离：载波包络相位的重要性

我们对少周期脉冲激光诱导的非序列双电离进行了理论研究，特别关注电子动量分布对载波包络相位的依赖性。我们聚焦于再碰撞激发随后隧穿电离（RESI）路径，其中释放的电子在返回母离子时，将其部分动能用于将第二个电子激发到激发态。随后，第二个电子通过隧穿电离释放。我们表明，RESI 电子动量分布随载波包络相位发生剧烈变化。通过用量子轨道对两个活跃电子的动力学进行详细分析，我们将这些分布的形状和动量区域与主导轨道集联系起来，这些轨道集上发生第一个电子的再散射和第二个电子的电离。这些轨道可以通过改变载波包络相位来操控。这为通过适当的脉冲选择控制关联的阿秒电子发射开辟了广泛的可能性。