铜氧化物和镍氧化物中离子键驱动的原子桥接室温库珀配对：由32项实验证据支持的理论框架

与通过单个电子导电的普通导体和半导体不同，超导体通常通过电子对（即库珀对）导电。即使经过40年的深入研究，仍无人知晓在高$T_c$铜氧化物中将电子结合在一起的机制。在此，针对氧化物高$T_c$超导性背后的配对机制这一关键挑战，考虑到eV尺度离子键的主导地位、O$^-$（1.46 eV）和O$^{2-}$（-8.08 eV）的亲和力以及金属原子的大双电子电离能（$\sim$15-28 eV），我们提出了一种由氧O（金属M）原子桥接的电子e$^-$（空穴h$^+$）配对创新理念，即在赝能隙温度$T^*>T_c$下形成的离子键驱动的$\mathbf{e^--O-e^-}$（$\mathbf{h^+-M-h^+}$）巡游库珀配对。该理念遵循“追踪电子足迹以探索配对机制”的原则，并立足于化学键$\rightarrow$结构$\rightarrow$性质关系的坚实基础。它适用于铜氧化物、镍氧化物、铁基及其他新型离子超导体。其正确性和普遍性得到了32项多样化实验证据的证实，特别是CuO$_2$平面中的STM图像结合小配对尺寸的证据。任何其他亚eV和共价键配对机制都将受到质疑。我们的发现提供了离子键与超导性之间缺失的环节，解决了长达40年的难题，并验证了离子超导体中室温载流子配对的可行性。我们进一步创建了一个植根于我们普遍的$\mathbf{e^--O-e^-}$（$\mathbf{h^+-M-h^+}$）图像的新理论框架，具有最强配对强度和Bose-Einstein凝聚，这为理解高$T_c$机制开辟了新途径，使室温超导的梦想更近了一步。