基于亚微米交叉型约瑟夫森结的全铌纳米SQUID研究

M. Schmelz; Y. Matsui; R. Stolz; V. Zakosarenko; T. Schönau; S. Anders; S. Linzen; H. Itozaki; H. -G. Meyer

doi:10.1088/0953-2048/28/1/015004

基于亚微米交叉型约瑟夫森结的全铌纳米SQUID研究

超导电性 2015-01-06 v1

作者: M. Schmelz , Y. Matsui , R. Stolz , V. Zakosarenko , T. Schönau , S. Anders , S. Linzen , H. Itozaki , H. -G. Meyer

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

我们报道了具有亚微米环尺寸的高灵敏度SQUID的开发。高质量、低电容SIS Nb/AlOx/Nb交叉型约瑟夫森隧道结的集成使得白磁通噪声低至66 n $\Phi_0$ /Hz $^{ 1/2}$ ，远低于基于收缩型结的同类铌基器件的先进水平。对最佳SQUID自旋灵敏度的估计给出白噪声区中 $S_\mu^{ 1/2} < 7 \mu_B$ /Hz $^{ 1/2}$ ，适用于小自旋系统的研究。我们讨论制备挑战，给出具有不同拾波环的器件电学表征结果，并描述进一步改进的方案，这可能将此类器件的灵敏度推向单自旋分辨。

关键词

纳米SQUID 铌约瑟夫森结磁通噪声自旋灵敏度超导器件

引用

@article{arxiv.1501.00958,
  title  = {Investigation of all niobium Nano-SQUIDs based on sub-micrometer cross-type Josephson junctions},
  author = {M. Schmelz and Y. Matsui and R. Stolz and V. Zakosarenko and T. Schönau and S. Anders and S. Linzen and H. Itozaki and H. -G. Meyer},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1501.00958},
  year   = {2015}
}

备注

8 pages, 3 figures

基于亚微米交叉型约瑟夫森结的全铌纳米SQUID研究

摘要

关键词

引用

备注

相关论文