离子注入nanoSQUIDs中的磁通噪声
超导电性
2010-03-30 v1
摘要
聚焦离子束（FIB）技术已被用于制造微型Nb DC SQUIDs，其包含电阻分流的微桥结和孔径范围从1058 nm到50 nm的中心环路。孔径为50 nm的最小器件，在10^4 Hz下的白磁通噪声水平为2.6 。研究了磁通噪声性质的标度规律以及SQUID的聚焦效应与孔径尺寸的关系。将不同器件观测到的低频磁通噪声与FIB加工过程中缺陷自旋涨落的贡献以及SQUID垫圈中热激活磁通跃迁的贡献进行了比较。
引用
@article{arxiv.1003.5436,
title = {Flux noise in ion-implanted nanoSQUIDs},
author = {Giuseppe C. Tettamanzi and Christopher I. Pakes and Simon K. H. Lam and Steven Prawer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.5436},
year = {2010}
}
备注
16 pages, 6 figures, 1 table