使用通用 MJ 哈密顿量探索量子自旋纹理
材料科学
2025-07-29 v2 介观与纳米尺度物理
应用物理
摘要
本工作引入一对新型通用 MJ 自旋电子学模型，精确映射自旋电子学材料中观察到的复杂自旋纹理。自旋轨道耦合（SOC）哈密顿量 H_MJ1 和 H_MJ2 通过调节自旋轨道相互作用，揭示了一系列新颖且引人入胜的自旋现象。H_MJ1 重塑了现有范式，为比 H_RD 更稳健、更灵活的框架，可能催化该领域量子材料研究的新进展。H_MJ1 包含两种 distinct 自旋纹理：单向、动量无关的持久自旋纹理（PST），以及双向（部分）PST。相比之下，H_MJ2 表现出螺旋状自旋纹理，将其概念性链接到宇宙学过程中扩张与收缩的过程，在二维量子框架内实现镜像。我们还探讨了支撑构建本 MJ 自旋电子学模型的早期解析模型的基本方面。这些模型的物理解释通过图形展示，利用简单向量模型阐明了来自复杂 SOC 的新兴自旋现象。
引用
@article{arxiv.2408.14571,
title = {Investigating Quantum Spin-Textures Using Universal MJ Hamiltonians},
author = {Manish Kumar Mohanta and Puru Jena},
journal= {arXiv preprint arXiv:2408.14571},
year = {2025}
}