直拉法亮环半径测量中的逆响应行为II：通过控制缓解
材料科学
2021-03-09 v1
摘要
这是两篇系列文章的第二部分，研究在单晶硅生产的直拉（Czochralski）工艺中，当由连接固体晶体与硅熔体的弯月面处亮环的相机图像推导晶锭半径时，晶锭半径测量中存在的逆响应。此类逆响应已知会对可实现的控制性能造成根本性限制。然而，对于亮环半径测量，逆响应是测量技术的伪影，并不出现在待控制的物理变量（实际晶体半径）中。本文利用并行补偿与反馈控制相结合的方法，解决缓解逆响应行为的控制问题。所提出的设计在工艺受温度扰动扰动的仿真中得到了验证。
引用
@article{arxiv.2103.04193,
title = {Inverse response behaviour in the bright ring radius measurement of the Czochralski process II: Mitigation by control},
author = {Halima Zahra Bukhari and Morten Hovd and Jan Winkler},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.04193},
year = {2021}
}
备注
To be published in Journal of Crystal Growth (Elsevier, accepted)