SmB6 的本征低温磁性
强关联电子
2019-12-13 v3
摘要
通过新的缪子自旋弛豫实验，我们厘清了候选拓扑近藤绝缘体（TKI）SmB6 中低温体磁性的外源与本征来源。将 Al 助熔剂生长的 SmB6 单晶的结果与通过非弹性中子散射检测到 14 meV 体自旋激子的较大浮区生长的 ^{154}Sm^{11}B6 单晶的结果进行了比较。在约 10 K 以下，我们检测到由稀土杂质和 Sm 空位引起的准静态磁性的逐渐发展。我们的测量还揭示了两种额外的本征磁性形式：1）类似于在相关候选 TKI YbB12 中检测到的、持续至毫开尔文温度的低能（约 100 neV）弱磁矩（约 10^{-2} mu_B）涨落；2）与零磁场下 2.6 meV 体磁激发一致的磁涨落，该激发似乎在约 4.5 K 以上阻碍表面电导。我们讨论了该磁性的潜在起源。
引用
@article{arxiv.1905.08769,
title = {Intrinsic Low-Temperature Magnetism in SmB6},
author = {S. Gheidi and K. Akintola and A. M. Cote and S. R. Dunsiger and C. Broholm and W. T. Fuhrman and S. R. Saha and J. Paglione and J. E. Sonier},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.08769},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 4 figures