低载流子密度 EuCd$_2$As$_2$薄膜的本征绝缘输运特性

Shinichi Nishihaya; Ayano Nakamura; Mizuki Ohno; Markus Kriener; Yuto Watanabe; Masashi Kawasaki; Masaki Uchida

doi:10.1063/5.0183907

低载流子密度 EuCd$_2$As$_2$薄膜的本征绝缘输运特性

材料科学 2024-01-17 v1 强关联电子

作者: Shinichi Nishihaya , Ayano Nakamura , Mizuki Ohno , Markus Kriener , Yuto Watanabe , Masashi Kawasaki , Masaki Uchida

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摘要

寻找仅 hosting 单一对 Weyl 点的理想磁性 Weyl 半金属，以系统阐明其源于拓扑与磁化相互作用的独特磁输运特性，一直是一个焦点。在候选材料中，三角晶格反铁磁体 EuCd $_2$ As $_2$ 因预测在铁磁态下存在理想 Weyl 半金属相而受到特别关注，然而，低载流子密度样品的输运特性仍然难以捉摸。在此，我们报告了 EuCd $_2$ As $_2$ 薄膜的分子束外延生长，在低温下实现了 $10^{15}$ - $10^{16}$ cm $^{-3}$ 范围内的低空穴密度。对此类低载流子密度薄膜的输运测量揭示了具有约 200 meV 激活能隙的绝缘行为，即使在场诱导的铁磁态下也是如此。我们的工作提供了一个重要的实验线索，表明 EuCd $_2$ As $_2$ 本质上是绝缘的，这与之前的预测相反。

关键词

weyl 半金属 eucd2as2 分子束外延绝缘行为磁输运低载流子密度拓扑材料

引用

@article{arxiv.2401.02026,
  title  = {Intrinsic insulating transport characteristics in low-carrier density EuCd2As2 films},
  author = {Shinichi Nishihaya and Ayano Nakamura and Mizuki Ohno and Markus Kriener and Yuto Watanabe and Masashi Kawasaki and Masaki Uchida},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2401.02026},
  year   = {2024}
}

备注

12 pages, 3 figures

低载流子密度 EuCd$_2$As$_2$薄膜的本征绝缘输运特性

摘要

关键词

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