用于暗物质探测的核反冲内禀Fano因子
仪器与探测器
2022-12-13 v2 高能物理 - 实验
摘要
研究表明，在10至200 keV的反冲能量范围内，锗和硅中的核反冲在电子-空穴产生方面的方差远大于相应的电子反冲。这一效应——主要归因于给定能量的核反冲传递给晶体晶格的能量存在偏差——已由Lindhard模型所预言。我们将该方差用内禀核反冲Fano因子来参数化：在约25 keV时，硅和锗的该因子分别为24.3±0.2和26±8。该方差对利用低能核反冲的实验（如直接暗物质探测和相干中微子-原子核散射测量）的预期信号形状具有重要影响。
引用
@article{arxiv.2206.13639,
title = {Intrinsic Fano factor of nuclear recoils for dark matter searches},
author = {M. Matheny and A. Roberts and A. Srinivasan and A. N. Villano},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.13639},
year = {2022}
}
备注
9 pages, 6 figures