中子捕获诱导的硅核反冲用于暗物质和CEνNS研究
高能物理 - 实验
2023-04-28 v2 核实验
摘要
在中子被材料捕获后，除了伽马级联外，还会有瞬发核反冲。材料中留下的核反冲通常低于1 keV，因此处于暗物质实验和CEνNS研究的关注范围——既作为本底也作为校准机会。这里我们获得了硅中中子捕获后瞬发核反冲的能谱。
引用
@article{arxiv.2302.02044,
title = {Neutron capture-induced silicon nuclear recoils for dark matter and CE$\nu$NS},
author = {K. Harris and A. Gevorgian and A. J. Biffl and A. N. Villano},
journal= {arXiv preprint arXiv:2302.02044},
year = {2023}
}
备注
8 pages, 9 figures, 1 table