光伏钙钛矿变体Cs2SnI6中的本征缺陷
计算物理
2015-06-26 v5 材料科学
摘要
注：本文已发表于Physical Chemistry Chemical Physics，可于以下URL查看：http://doi.org/10.1039/C5CP03102H Cs2SnI6是一种很少被研究的钙钛矿变体材料，近来因无毒、空气稳定性和有前景的光伏性质在光伏领域获得大量关注。本工作中，我们利用第一性原理密度泛函理论计算报道了Cs2SnI6中的本征缺陷。揭示碘空位和锡间隙原子是导致Cs2SnI6本征n型导电的主要缺陷。由于Sn-I键的强共价性，锡空位具有非常高（>3.6 eV）的形成能，难以通过p型掺杂产生。Cs2SnI6中所有主要缺陷在带隙中均有深跃迁能级。建议可通过采用富I合成条件显著抑制深缺陷的形成，这对于光伏及其他半导体应用是必需的。
引用
@article{arxiv.1502.06199,
title = {Intrinsic defects in photovoltaic perovskite variant Cs2SnI6},
author = {Zewen Xiao and Yuanyuan Zhou and Hideo Hosono and Toshio Kamiya},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.06199},
year = {2015}
}