用于光电子学应用的卤化物双钙钛矿的本征缺陷性质

Tianshu Li; Xingang Zhao; Dongwen Yang; Mao-Hua Du; Lijun Zhang

用于光电子学应用的卤化物双钙钛矿的本征缺陷性质

材料科学 2018-08-17 v1 计算物理

作者: Tianshu Li , Xingang Zhao , Dongwen Yang , Mao-Hua Du , Lijun Zhang

摘要

化学式为四元 A $_2^+$ B'B' $^{3+}$ X $_6^-$ 的无铅卤化物双钙钛矿,因无毒且化学和热力学稳定性增强,近来作为铅卤化物钙钛矿基光电子材料的替代物引起了强烈关注。然而,对本征缺陷性质及其对载流子传输和费米能级调控的影响的理解仍然有限。在本文中,我们表明,通过探索卤化物双钙钛矿的相图,可以调控本征缺陷对载流子俘获和费米能级钉扎的影响。我们揭示了生长p型Cs $_2$ AgInCl $_6$ 和Cs $_2$ AgBiCl $_6$ 以及具有低陷阱密度的半绝缘Cs $_2$ AgBiBr $_6$ 的理想生长条件,以用于目标光伏或可见光/辐射探测应用。

关键词

卤化物双钙钛矿本征缺陷载流子俘获费米能级钉扎无铅光电子学应用相图

引用

@article{arxiv.1808.05330,
  title  = {Intrinsic defect properties in halide double perovskites for optoelectronic applications},
  author = {Tianshu Li and Xingang Zhao and Dongwen Yang and Mao-Hua Du and Lijun Zhang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1808.05330},
  year   = {2018}
}

备注

12 pages, 10 figures

用于光电子学应用的卤化物双钙钛矿的本征缺陷性质

摘要

关键词

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