施主掺杂GaN/AlN量子线中的子带间光吸收
量子物理
2025-03-12 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
在本研究中，我们研究了圆柱形GaN/AlN量子线导带子带内的光吸收。我们分析了量子线（QWR）和量子点（QD）结构中在施主杂质态存在下的光吸收率和介电函数的实部。结果表明，与QWR结构相关的自由运动态密度导致光吸收低于QDs，这由光光谱所证实。本研究通过全面分析QWR和QD的光学性质，特别是在施主掺杂情况下的光学性质，推进了对GaN/AlN异质结构的理解。因此，结果提供了半导体纳米结构对光电器件光学性质影响的明确证据。
引用
@article{arxiv.2503.07815,
title = {Intersubband optical absorption in the GaN/AlN qunatum wire with donor-doping},
author = {Sami Ortakaya},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.07815},
year = {2025}
}