MgB_2 中 de Haas-van Alphen 效应角度依赖性的解释
超导电性
2009-11-10 v1
摘要
我们给出了 MgB_2 中类电子 π 费米面片段的 de Haas-van Alphen (dHvA) 信号振幅和场依赖性的详细结果。我们的数据和分析表明，当磁场接近基面时 dHvA 振幅的下降是由两个非常相似的 dHvA 频率之间的拍频引起的，而非先前假设的自旋零效应。我们的结果意味着 MgB_2 中 Sigma 和 Pi 两个费米面片段上的 Stoner 增强因子都很小。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0412359,
title = {Interpretation of the angular dependence of the de Haas-van Alphen effect in MgB_2},
author = {A. Carrington and J. D. Fletcher and H. Harima},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0412359},
year = {2009}
}
备注
4 pages with figures. Submitted to PRB