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通过de Haas-van Alphen振荡测量确定的KFe2As2中的费米面

超导电性 2013-07-01 v2 强关联电子

摘要

我们通过de Haas-van Alphen (dHvA)测量完全确定了KFe2_2As2_2中的费米面。在KFe2_2As2_2中观测到了基本频率ϵ\epsilonα\alphaζ\zetaβ\beta。第一个频率归因于布里渊区X点附近的空穴柱面,而其他频率归因于Γ\Gamma点的空穴柱面。我们还观测到了α\alphaζ\zeta之间的磁击穿频率,并给出了合理的解释。实验频率与能带结构计算预测的频率存在偏差。对于BcB \parallel c,发现了高达19 mem_e的大有效质量,其中mem_e是自由电子质量。载流子数和比热的索末菲系数估计分别为每化学式单元1.01–1.03个空穴和82–94 mJmol1^{-1}K2^{-2},这与化学计量比以及直接测量值93 mJmol1^{-1}K2^{-2} [H. Fukazawa \textit{et al}., J. Phys. Soc. Jpn. \textbf{80SA}, SA118 (2011)]一致。索末菲系数比能带值增强了约9倍,表明低能自旋和/或轨道涨落的重要性,并将KFe2_2As2_2置于强关联金属之列。我们还对Ba0.07_{0.07}K0.93_{0.93}Fe2_2As2_2进行了dHvA测量,并观测到了α\alphaβ\beta频率。

关键词

引用

@article{arxiv.1304.6469,
  title  = {Fermi surface in KFe2As2 determined via de Haas-van Alphen oscillation measurements},
  author = {Taichi Terashima and Nobuyuki Kurita and Motoi Kimata and Megumi Tomita and Satoshi Tsuchiya and Motoharu Imai and Akira Sato and Kunihiro Kihou and Chul-Ho Lee and Hijiri Kito and Hiroshi Eisaki and Akira Iyo and Taku Saito and Hideto Fukazawa and Yoh Kohori and Hisatomo Harima and Shinya Uji},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1304.6469},
  year   = {2013}
}

备注

14 pages, 16 Figures, 3 Tables