分子结中偏压驱动充电与振动斯塔克效应的相互作用
介观与纳米尺度物理
2016-05-11 v1
摘要
基于在PCBM-金结上同时进行的输运与表面增强拉曼光谱(SERS)测量，我们观察到PCBM振动能的大幅可逆的偏压驱动变化。我们分析并与涉及C60-金结的类似测量相比较了振动能随电压的线性与二次偏移的组合。基于密度泛函理论(DFT)计算的理论模型表明，振动斯塔克效应和结的偏压诱导充电共同导致了振动能的偏移。在PCBM的情形中，由于其永久电偶极矩而观察到线性振动斯塔克效应。此处所示的PCBM结的振动斯塔克偏移可与C60结中占主导的充电效应相比拟或更大。
引用
@article{arxiv.1605.03021,
title = {Interplay of bias-driven charging and the vibrational Stark effect in molecular junctions},
author = {Yajing Li and Pavlo Zolotavin and Peter Doak and Leeor Kronik and Jeffrey B. Neaton and Douglas Natelson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.03021},
year = {2016}
}
备注
16 pages, 4 figures