极化子模型中的电荷记忆效应：格林函数的运动方程方法

我们分析了一个置于金属引线之间并与局域振动模式强耦合的单能级量子系统，该系统模拟了单分子结或扫描隧道显微镜（STM）装置。我们考虑了描述电子与振动自由度之间相互作用的极化子模型，并在非平衡格林函数的框架下发展并考察了运动方程方法中的不同截断方案。我们证明，在施加栅压或偏压时，可以观察到电荷双稳态和滞后行为，这可以作为电荷记忆元件的基础。我们进一步对系统在不同内部参数（如电子-振动耦合强度和引线-分子耦合强度）下的双稳态行为进行了系统分析。