拓扑与电子-电子相互作用在莫尔 MoTe$_2$/WSe$_2$异质结构中的相互作用
强关联电子
2025-10-03 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了拓扑结构与电子-电子相互作用在莫尔 MoTe/WSe 异质结构中的相互作用。在我们的分析中，我们采用包含 Ising 型自旋轨道耦合的复验跃模型，并通过施加垂直电场（位移场）实现非平凡拓扑。该模型补充了本地及相邻单元的库仑排斥项，并通过 Hartree-Fock 和 Gutzwiller 方法进行处理。根据我们的分析，当每个莫尔胞单元中只有一个空穴时，系统随位移场的增大经历两次相变。第一次是从平面 120 反亚磁性电荷转移绝缘体到拓扑绝缘体。第二次相变中，系统变为拓扑平凡，发生垂直 Ferrimagnetic 金属相。对于拓扑区域，出现自发自旋极化，空穴分布在两个层面中。此外，我们分析了相邻库仑排斥项对拓扑相出现以及电荷密度波态形成的影响。我们就获得的结果讨论了可获得实验数据的情境。
引用
@article{arxiv.2412.09170,
title = {Interplay between topology and electron-electron interactions in the moir\'{e} MoTe$_{\mathrm{2}}$/WSe$_{\mathrm{2}}$ heterobilayer},
author = {Palash Saha and Louk Rademaker and Michał Zegrodnik},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.09170},
year = {2025}
}