内界面应变对 UO2/U3O7 氧化行为的影响
材料科学
2010-04-30 v1
摘要
在 UO2 芯块的阴离子氧化过程中，U3O7 氧化层的生长由于 UO2 与其氧化物之间的晶格参数差异而产生了非常重要的机械应力。这些应力与氧化的化学过程相结合，可导致系统开裂，称为化学碎裂。我们研究了在 UO2 表面生长的氧化物晶格的晶体学取向，指出界面的外延关系决定了 UO2 和 U3O7 的共存。在本工作中，给出了以下几个结果：- 借助 Bollmann 方法确定了基底与其氧化物之间的外延关系；推导了外延应变。- 研究了 U3O7 中不同畴的共存（两相之间界面的晶体学兼容条件：Hadamard 条件）。- 与 UO2 基底连接的多畴 U3O7 的有限元法（FEM）模拟解释了 U3O7 层临界厚度的存在。
引用
@article{arxiv.1004.5295,
title = {Internal Interface Strains Effects on UO2/U3O7 Oxidation Behaviour},
author = {Nicolas Creton and Virgil Optasanu and Sébastien Garruchet and Tony Montesin and Laura Raceanu and Lionel Desgranges and Steeve Dejardin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1004.5295},
year = {2010}
}